 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 114 (2021) | ISSUE 11 | PAGE 749 |
|---|
|
Формирование люминесцентных структур при облучении тонких пленок a-Si:H-Er лазерными импульсами фемтосекундной длительности
А. О. Ларин+, Э. И. Агеев+, Л. Н. Дворецкая*, А. М. Можаров*, И. С. Мухин+*, Д. А. Зуев+
+Университет ИТМО, 197101 С.-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет им. Ж. И. Алферова РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
Abstract
Исследован процесс внедрения эрбия в кремний при облучении лазерными импульсами фемтосекундной длительности многослойной пленки, состоящей из слоев Er и a-Si:H. Рассмотрено влияние плотности энергии лазерного излучения на фазовый состав и интенсивность сигнала фотолюминесценции экспонированных областей, а также проведено сравнение методов термического и фемтосекундного лазерного легирования пленок. Полученные результаты могут быть полезны для разработки перспективных оптоэлектронных устройств на основе структур Si:Er. |