Магнитоосцилляции времени затухания люминесценции двумерного электронного газа в одиночном гетеропереходе GaAs-AlGaAs с монослоем акцепторов
Дите А.Ф., фон Клитцинг К., Кукушкин И.В., Тимофеев В.Б., Филин А.И.
В одиночном гетеропереходе GaAs/AlGaAs изучена кинетика излучательной рекомбинации двумерных (2D-) электронов. Наблюдались магнитоосцилляции времени затухания люминесценции 2 D-электронов из возбужденной подзоны размерного квантования. Эти осцилляции синфазны с обнаруженными ранее 4 магнитоосцилляциями самой интенсивности рекомбинации, что связывается с периодическим изменением вероятности межподзонной релаксации.