Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-120
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 115 (2022) | ISSUE 1 | PAGE 35
Стимулированная Бозе конденсация электронно-дырочных пар в сильно вырожденном полупроводнике при комнатной температуре
DOI: 10.31857/S1234567822010062
Abstract
Описан механизм и построена упрощенная модель конденсации электронно-дырочных пар в фазовом пространстве в сильно вырожденном полупроводнике при участии резонансных фотонов электромагнитного поля. Продемонстрировано, что в таком полупроводнике при наличии фотонов в экситонной части спектра возможно формирование квазистационарного Бозе состояния коллективно спаренных электронов и дырок. При этом необходимая плотность носителей в несколько раз должна превосходить пороговую плотность возникновения лазерного излучения. Описанный эффект позволяет объяснить механизм появления сверзхизлучающего квантового перехода и неравновесного БКШ-подобного электронно-дырочного состояния в полупроводниковых гетероструктурах при комнатной температуре, экспериментально наблюдавшихся ранее.