JETP Letters: issues online

Изучена спектральная эволюция фононной линии E_u¹ топологического изолятора Bi_2-xSr_xSe₃ при изменении температуры. В отличие от комбинационно-активных фононов, E_u¹ мода смягчается при охлаждении кристалла, а соответствующая спектральная линия приобретает выраженную форму резонанса Фано при температурах $T\lesssim100$ K. Данный эффект интерпретирован как свидетельство специфического взаимодействия объемных ИК-активных фононов с поверхностными дираковскими электронами. Используя когерентное резонансное возбуждение E_u¹ моды в качестве чувствительного к поверхности зонда, зарегистрировано смягчение поверхностного эквивалента объемной фононной E_u¹ моды при легировании атомами стронция. Данное наблюдение может быть свидетельством сильного электрон-фононного взаимодействия на поверхности кристалла Bi_2-xSr_xSe₃.