Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-119
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 115 (2022) | ISSUE 1 | PAGE 47
Электронная структура и свойства двумерного диоксида кремния
DOI: 10.31857/S1234567822010086
Abstract
В рамках теории функционала плотности методом проекционных присоединенных волн проведены исследования электронной структуры двумерного диоксида кремния. Результаты неэмпирических расчетов существенно уточняются в GW-приближении. Рассмотрены нанопленки толщиной от 0.35 до 1.76 нм с максимальным числом атомарных слоев, равным 30. Показано, что запрещенная зона существенно зависит от толщины двумерного нанокристалла и имеет три различных типа поведения. Данное явление обусловлено сдвигом уровня Ферми, определяемым соотношением атомов Si и O в элементарной ячейке.