JETP Letters: issues online

Проведено моделирование атомных и электронных структур диаманов - алмазоподобных пленок из малослойных муаровых с углом свертки θ графенов в укладках 00θ и θ00θ. Химическая адсорбция легких атомов (например, водорода) или молекул на поверхности такого графена приводит к образованию межслоевых связей и, таким образом, к полной sp³-гибридизации атомов углерода в структурах. Предложена модель возможного синтеза таких диаманов из 3-х и 4-х свернутых графенов, основывающаяся на имеющихся экспериментальных работах по приготовлению муаровых графеновых структур и диаманов на основе несвернутого биграфена. Также рассмотрен гипотетический муаровый диаманный кристалл, формируемый из стопок подобных четырехслойных графенов. Показана стабильность трех- и четырехслойных муаровых диаманов, а также предлагаемого искусственного кристалла. Величина запрещенной зоны уменьшается с ростом количества исходных слоев, однако, ее значение для кристалла оказалась больше из-за большего напряжения связей С-С', которые в предыдущих случаях связывали С- и Н-атомы.