Коллапс и возрождение электронного спинового эха примесных ионов Yb 3+ на скрытых частотных гребенках сверхтонких взаимодействий в монокристалле Y2SiO5
Н. К. Соловаров+, А. А. Суханов+, В. Ф. Тарасов+, Ю. Д. Заварцев*, С. А. Кутовой*
+Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского - обособленное структурное подразделение
Федерального государственного бюджетного учреждения науки "Федеральный исследовательский центр
"Казанский научный центр Российской академии наук", 420029 Казань, Россия
*Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
Abstract
Обнаружены коллапс и возрождение сигналов электронного спинового эха Хана,
возбуждаемого на электронно-ядерных спиновых уровнях примесного иона
173Yb3+ в ортосиликате иттрия (Y2SiO5). Предложена модель явления, основанная
на объединении обычного механизма формирования двух-импульсного эхо Хана и
механизма формирования сигналов эха на скрытых в неоднородной ширине
резонансных линий спиновых частотных гребенках, обязанных сверхтонкому
взаимодействию электронного спина Yb3+ c окружающими ядерными спинами 89Y.