Оптическая бистабильность и критическое замедление в аморфном полупроводнике GeS2
Любин В.М., Тихомиров В.К.
Обнаружено явление оптической бистабильности в монолитных стеклообразных полупроводниках системы Ge-S при подзонном возбуждении {Ни < Ед), сопровождаемое скачкообразным изменением показателя преломления. Динамика переключения пропускания в районе петли гистерезиса проявляет критическое замедление с характерным временем ~ 1 -f 10 с. Механизм явления связывается с фотоиндуцированным кооперативным взаимодействием "нативных дефектов" аморфного полупроводника, приводящем к скачкообразному изменению структуры вещества.
Home
![](/ps/237/article_3942_800_head.png "<b>Обнаружено явление оптической бистабильности в монолитных стеклообразных полупроводниках системы Ge-S при подзонном возбуждении </b><i>{Ни < Е<sub>д</sub>), </i><b>сопровождаемое скачкообразным изменением показателя преломления. Динамика переключения пропускания в районе петли гистерезиса проявляет критическое замедление с характерным временем ~ 1 -f 10 с. Механизм явления связывается с фотоиндуцированным кооперативным </b>взаимодействием <b>"нативных дефектов" аморфного </b>полупроводника, приводящем к скачкообразному изменению структуры <b>вещества.</b>")