Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-120
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 115 (2022) | ISSUE 7 | PAGE 424
Режим сильной связи и осцилляции Раби в GaAs/AlGaAs гетероструктурах как следствие конденсации электронно-дырочных пар при комнатной температуре
DOI: 10.31857/S1234567822070047
Abstract
Приведены результаты экспериментов по исследованию когерентных осцилляций оптического поля в диапазоне ТГц, наблюдавшихся в GaAs/AlGaAs объемных гетероструктурах при генерации импульсов сверхизлучения. Обнаружены оптические спектры в виде дублетов, характерных для осцилляций Раби с расщеплением в диапазоне 1.3-4.4 мэВ на длине волны 860-890 нм и соответствующие когерентные колебания поля во временной области. Эффект возникал только в режиме сильной связи оптического поля с электронно-дырочной системой. Продемонстрировано, что режим сильной связи в условиях эксперимента возможен только при условии конденсации электронно-дырочных пар в фазовом пространстве. Результаты экспериментов являются еще одним убедительным доказательством конденсации электронов и дырок в объемном GaAs при комнатной температуре, обсуждавшейся в наших работах ранее.