Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 115 | ISSUE 7 | PAGE 424
Режим сильной связи и осцилляции Раби в GaAs/AlGaAs гетероструктурах как следствие конденсации электронно-дырочных пар при комнатной температуре
Abstract
Приведены результаты экспериментов по исследованию когерентных осцилляций оптического поля в диапазоне ТГц, наблюдавшихся в GaAs/AlGaAs объемных гетероструктурах при генерации импульсов сверхизлучения. Обнаружены оптические спектры в виде дублетов, характерных для осцилляций Раби с расщеплением в диапазоне 1.3-4.4 мэВ на длине волны 860-890 нм и соответствующие когерентные колебания поля во временной области. Эффект возникал только в режиме сильной связи оптического поля с электронно-дырочной системой. Продемонстрировано, что режим сильной связи в условиях эксперимента возможен только при условии конденсации электронно-дырочных пар в фазовом пространстве. Результаты экспериментов являются еще одним убедительным доказательством конденсации электронов и дырок в объемном GaAs при комнатной температуре, обсуждавшейся в наших работах ранее.