JETP Letters: issues online

Методом оптически детектируемого циклотронного резонанса (ОДЦР) исследованы структуры, содержащие квантовую яму InGaAs/GaAs и ферромагнитный δ- $\langle$ Mn $\rangle$ -слой, разделенные узким спейсером 3-10 нм. Несмотря на сильный беспорядок в этих структурах, по фотолюминесценции носителей в квантовой яме наблюдается ОДЦР при поглощении в дальней инфракрасной области с максимумом в магнитных полях, существенно меньше ожидаемых для типичных значений электронной или дырочной циклотронных масс. Необычное проявление ОДЦР объясняется размерным магнитоплазменным резонансом двумерных вырожденных дырок в субмикронных областях квантовой ямы высокого качества, возникших в условиях сильного флуктуационного кулоновского потенциала вследствие мезоскопического расслоения акцепторного δ- $\langle$ Mn $\rangle$ -слоя высокой плотности. Ниже температуры Кюри δ- $\langle$ Mn $\rangle$ -слоя магнитно-силовая микроскопия также свидетельствует о неоднородности структуры в плоскости с характерным масштабом $\sim$ 100-200 нм. В то же время, в светодиодной структуре на подложке n-GaAs резонансное поле ОДЦР заметно меньше, чем в структуре на изолирующей подложке i-GaAs, что связывается с резонансом на донорах в легированной подложке.