Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-120
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 116 (2022) | ISSUE 4 | PAGE 233
Оптическое детектирование циклотронного резонанса в неоднородных ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/δ-\boldsymbol{\langle}Mn\boldsymbol{\rangle}
Abstract
Методом оптически детектируемого циклотронного резонанса (ОДЦР) исследованы структуры, содержащие квантовую яму InGaAs/GaAs и ферромагнитный δ-\langleMn\rangle-слой, разделенные узким спейсером 3-10 нм. Несмотря на сильный беспорядок в этих структурах, по фотолюминесценции носителей в квантовой яме наблюдается ОДЦР при поглощении в дальней инфракрасной области с максимумом в магнитных полях, существенно меньше ожидаемых для типичных значений электронной или дырочной циклотронных масс. Необычное проявление ОДЦР объясняется размерным магнитоплазменным резонансом двумерных вырожденных дырок в субмикронных областях квантовой ямы высокого качества, возникших в условиях сильного флуктуационного кулоновского потенциала вследствие мезоскопического расслоения акцепторного δ-\langleMn\rangle-слоя высокой плотности. Ниже температуры Кюри δ-\langleMn\rangle-слоя магнитно-силовая микроскопия также свидетельствует о неоднородности структуры в плоскости с характерным масштабом \sim 100-200 нм. В то же время, в светодиодной структуре на подложке n-GaAs резонансное поле ОДЦР заметно меньше, чем в структуре на изолирующей подложке i-GaAs, что связывается с резонансом на донорах в легированной подложке.