Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-120
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 116 (2022) | ISSUE 5 | PAGE 307
Расчет дискретных и резонансных уровней акцепторов в узкозонных твердых растворах CdHgTe
DOI: 10.31857/S1234567822170074
Abstract
Проведены расчеты волновых функций электрона в поле однозарядного акцептора в узкозонных твердых растворах CdHgTe с учетом потенциала центральной ячейки. Путем аппроксимации результатов расчетов получено аналитическое выражение для значений энергии наиболее глубоких локализованных и резонансных состояний при различных значениях параметров потенциала центральной ячейки и доли кадмия в твердом растворе. Полученные зависимости могут быть использованы при идентификации акцепторных примесей в CdHgTe, в частности, мышьяка, как наиболее перспективного допанта для структур p-типа.