JETP Letters: issues online

Рассматривается вопрос о возможности роста и магнитных свойствах тонких пленок MAX-фазы Mn₂GaC на подложках Al₂O₃ различной ориентации. В рамках геометрического подхода спрогнозированы наиболее предпочтительные ориентационные соотношения и интерфейсные плоскости в системе Mn₂GaC//Al₂O₃, указывающие на возможность роста на подложках сапфира С-срез (0001), S-срез $(01\bar{1}\bar{1})$ , N-срез $(11\bar{2}\bar{3})$ , и R-срез $(0\bar{1}1\bar{2})$ . С помощью метода функционала электронной плотности рассчитаны возможные магнитные свойства сплошных ультратонких пленок Mn₂GaC при условии сохранения однородных растяжений/сжатий решетки MAX-фазы,вызванных ростом на предсказанных подложках: определено влияние деформации решетки Mn₂GaC на магнитное упорядочение и величины магнитных моментов, оценена возможность перехода из антиферромагнитного состояния в ферромагнитное под действием внешних магнитных полей. Показано, что рост ферромагнитной пленки MAX-фазы Mn₂GaC наиболее вероятен на подложках Al₂O₃(0001), Al₂O $_3(11\bar{2}\bar{3})$ и Al₂O $_3(0\bar{1}1\bar{2})$ .