Многоямный потенциал в квантовом точечном контакте траншейного типа
Д. И. Сарыпов+*, Д. А. Похабов+*, А. Г. Погосов+*, Е. Ю. Жданов+*, А. К. Бакаров+*
+Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Рассматривается физический механизм, объясняющий возникновение
многоканального режима электронного транспорта в квантовых точечных
контактах траншейного типа. Показано, что перераспределение
электронов в двумерном электронном газе, обусловленное их
кулоновским взаимодействием между собой, а также с заряженными донорами и
Х-долинными электронами, приводит к появлению многоканальности,
наблюдаемой экспериментально. Результаты численного моделирования
перераспределения электронов и их сравнение с экспериментальными
измерениями кондактанса квантовых точечных контактов
траншейного типа, изготовленного на основе
гетероструктуры GaAs/AlGaAs, демонстрируют формирование многоямного
ограничивающего потенциала.