JETP Letters: issues online

В двойной квантовой яме, состоящей из двух слоев HgTe толщиной 8.5 нм, разделенных барьером 3 нм, обнаружена ступенеобразная структура холловского магнитосопротивления ρ_yx(B) с почти вертикальным ростом вокруг нуля и дальнейшим ходом, близким к h/e². Особенностью зонного спектра данных двойной квантовой ямы является наличие острого максимума в центре зоны Бриллюэна, расположенного близко по энергии к боковому максимуму. Наблюдаемый резкий рост ρ_yx(B) вблизи нуля согласуется с исчезающе малой концентрацией легких дырок в этом максимуме, однако выход на почти горизонтальный дальнейший ход не соответствует классическому описанию ρ_yx(B) для большой концентрации малоподвижных дырок в боковом максимуме и предполагает квантовые эффекты. Обнаружена высокая чувствительность наблюдаемой структуры ρ_yx(B) к воздействиям (перпендикулярное слоям электрическое поле, параллельное магнитное поле), что согласуется с изменением тонкого баланса положений центрального и бокового максимумов. Показано, что это свойство обусловлено наличием в двойной квантовой яме своеобразного дипольного момента, отличающего ее от одиночной ямы с похожими особенностями зонного спектра, поэтому реакция одиночной ямы должна быть несопоставимо слабее.