Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-120
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 116 (2022) | ISSUE 6 | PAGE 378
Особенности магнитотранспорта в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe с промежуточной степенью инверсии зон
Abstract
В двойной квантовой яме, состоящей из двух слоев HgTe толщиной 8.5 нм, разделенных барьером 3 нм, обнаружена ступенеобразная структура холловского магнитосопротивления ρyx(B) с почти вертикальным ростом вокруг нуля и дальнейшим ходом, близким к h/e2. Особенностью зонного спектра данных двойной квантовой ямы является наличие острого максимума в центре зоны Бриллюэна, расположенного близко по энергии к боковому максимуму. Наблюдаемый резкий рост ρyx(B) вблизи нуля согласуется с исчезающе малой концентрацией легких дырок в этом максимуме, однако выход на почти горизонтальный дальнейший ход не соответствует классическому описанию ρyx(B) для большой концентрации малоподвижных дырок в боковом максимуме и предполагает квантовые эффекты. Обнаружена высокая чувствительность наблюдаемой структуры ρyx(B) к воздействиям (перпендикулярное слоям электрическое поле, параллельное магнитное поле), что согласуется с изменением тонкого баланса положений центрального и бокового максимумов. Показано, что это свойство обусловлено наличием в двойной квантовой яме своеобразного дипольного момента, отличающего ее от одиночной ямы с похожими особенностями зонного спектра, поэтому реакция одиночной ямы должна быть несопоставимо слабее.