О возможности наблюдения спин-поляризованных электронов на поверхности GaAs(11O) сканирующим туннельным микроскопом
Молотков С.Н.
Предлагается способ выделения спин-зависящей компоненты туннельного тока в СТМ между ферромагнитной иглой и поверхностью GaAs(llO) со спин-поляризованными электронами.