Home
| VOLUME 116 | ISSUE 7 | PAGE 481 |
|---|
|
Проявления электронно-ядерных взаимодействий в спектрах высокочастотного ДЭЯР/ОДМР для триплетных Si-C дивакансий в SiC, обогащенном изотопом 13C
Р. А. Бабунц+, Ю. А. Успенская+, А. С. Гурин+, А. П. Бундакова+, Г. В. Мамин*, А. Н. Анисимов+, Е. Н. Мохов+, П. Г. Баранов+
+Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия *Казанский (Приволжский) федеральный университет, 420008 Казань, Россия
Abstract
Определены частоты электронно-ядерных взаимодействий с ядрами 13C и 29Si на удаленных координационных сферах в триплетных спиновых центрах в виде нейтральных Si-C дивакансий в кристалле карбида кремния гексагонального политипа 6H-SiC, десятикратно обогащенном изотопом 13C. Применялись методы высокочастотного двойного электронно-ядерного резонанса и оптически детектируемого магнитного резонанса в условиях оптического выстраивания спинов. Обнаружены осцилляции электронной спиновой плотности на ядрах 29Si и 13C. Переходы ядерного магнитного резонанса на ларморовских и близких к ним частотах 13C и 29Si вызывают гигантские изменения населенностей спиновых подуровней с трансформацией этих резонансов в сигналы электронного парамагнитного резонанса и оптические сигналы. |