Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 116 | ISSUE 7 | PAGE 481
Проявления электронно-ядерных взаимодействий в спектрах высокочастотного ДЭЯР/ОДМР для триплетных Si-C дивакансий в SiC, обогащенном изотопом 13C
Abstract
Определены частоты электронно-ядерных взаимодействий с ядрами 13C и 29Si на удаленных координационных сферах в триплетных спиновых центрах в виде нейтральных Si-C дивакансий в кристалле карбида кремния гексагонального политипа 6H-SiC, десятикратно обогащенном изотопом 13C. Применялись методы высокочастотного двойного электронно-ядерного резонанса и оптически детектируемого магнитного резонанса в условиях оптического выстраивания спинов. Обнаружены осцилляции электронной спиновой плотности на ядрах 29Si и 13C. Переходы ядерного магнитного резонанса на ларморовских и близких к ним частотах 13C и 29Si вызывают гигантские изменения населенностей спиновых подуровней с трансформацией этих резонансов в сигналы электронного парамагнитного резонанса и оптические сигналы.