 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 116 (2022) | ISSUE 9 | PAGE 592 |
|---|
|
Цилиндрические микрорезонаторы с квантовыми точками InAs/GaAs - моделирование и анализ оптических характеристик
М. А. Бобров+*, С. А. Блохин+, Н. А. Малеев+, А. Г. Кузьменков+, А. А. Блохин+, А. П. Васильев×, Ю. А. Гусева+, М. В. Рахлин+, А. И. Галимов+, Ю. М. Серов+, С. И. Трошков+, В. М. Устинов*, А. А. Торопов+
+Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С-Петербург, Россия *С.-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 С.-Петербург, Россия ×Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
Abstract
Представлены результаты исследований оптических характеристик структур цилиндрических вертикальных микрорезонаторов с AlGaAs распределенными брэгговскими отражателями и InAs/GaAs квантовыми точками, предназначенных для изготовления источников одиночных фотонов. Методом конечных разностей во временной области выполнено численное моделирование эффектов влияния на величину фактора Парселла и эффективности вывода излучения таких параметров, как наклон боковых стенок, частичное окисление AlGaAs слоев и отклонение расположения квантовых точек от центральной оси микрорезонатора, а также определены допустимые диапазоны реализации этих параметров, для цилиндрических вертикальных микрорезонаторов спектрального диапазона 920 нм. Сравнение результатов расчетов, выполненных с использованием уточненных значений показателей преломления используемых материалов при криогенных температурах, и измеренных характеристик изготовленных микрорезонаторных структур подтвердило адекватность используемых моделей. |