Фотолюминесценция в пленках GeO2, содержащих нанокристаллы германия
В. А. Володин, Е. Б. Горохов, М. Д. Ефремов, Д. В. Марин, Д. А. Орехов*
Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
PACS: 63.22.+m, 78.40.Fy, 78.55.-m, 81.15.-z
Abstract
Нанокристаллы германия в пленке GeO2, сформированные в процессе
осаждения газообразного монооксида германия на подложке сапфира, исследованы
методами фотолюминесценции (ФЛ) и спектроскопии комбинационного рассеяния
света (КР). В данной гетеросистеме обнаружен пик ФЛ в видимом
спектральном диапазоне при комнатной температуре. Из положения пика КР на
локализованных оптических фононах в германии были оценены размеры
Ge- нанокристаллов. Рассчитанное с учетом размерного квантования электронов
и дырок в Ge- нанокристаллах положение пика ФЛ хорошо совпадает с положением
экспериментально наблюдаемого пика.