Релаксационные процессы и когерентные спиновые манипуляции для триплетных Si-C дивакансий в карбиде кремния, десятикратно обогащенном изотопом 13C
Р. А. Бабунц+, Ю. А. Успенская+, А. П. Бундакова+, Г. В. Мамин*, А. Н. Анисимов+, П. Г. Баранов+
+Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
*Казанский (Приволжский) федеральный университет, 420008 Казань, Россия
Abstract
Когерентные спиновые манипуляции ансамблей центров окраски в виде нейтральных
VSi-VC дивакансий со спином S = 1 в гексагональном политипе карбида кремния 6H-SiC,
обогащенном изотопом 13C (12
использованием методов электронного спинового эха и осцилляций Раби. Эксперименты с
осцилляциями Раби показывают, что спиновая когерентность создается в SiC с
десятикратно повышенной концентрацией изотопа 13C с ядерным магнитным моментом.
Измерены времена спин-решеточной релаксации T1 и спин-спиновой релаксации T2 в
условиях оптического выстраивания спинов:
мс и
мкс, T = 150 K, магнитное
поле
3 Tл. Оптическое выстраивание населенностей спиновых уровней позволяет
манипулировать электронными и ядерными спинами в условиях окружающей среды с
помощью оптического, микроволнового и радиочастотного излучения.