Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-120
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 116 (2022) | ISSUE 11 | PAGE 763
Релаксационные процессы и когерентные спиновые манипуляции для триплетных Si-C дивакансий в карбиде кремния, десятикратно обогащенном изотопом 13C
DOI: 10.31857/S1234567822230045
Abstract
Когерентные спиновые манипуляции ансамблей центров окраски в виде нейтральных VSi-VC дивакансий со спином S = 1 в гексагональном политипе карбида кремния 6H-SiC, обогащенном изотопом 13C (12 использованием методов электронного спинового эха и осцилляций Раби. Эксперименты с осцилляциями Раби показывают, что спиновая когерентность создается в SiC с десятикратно повышенной концентрацией изотопа 13C с ядерным магнитным моментом. Измерены времена спин-решеточной релаксации T1 и спин-спиновой релаксации T2 в условиях оптического выстраивания спинов: T_1\sim5 мс и T_2\sim15 мкс, T = 150 K, магнитное поле \sim 3 Tл. Оптическое выстраивание населенностей спиновых уровней позволяет манипулировать электронными и ядерными спинами в условиях окружающей среды с помощью оптического, микроволнового и радиочастотного излучения.