Логарифмическая релаксация неравновесного состояния волны зарядовой плотности в соединениях TbTe3 и HoTe3
А. В. Фролов+ 1), А. П. Орлов+*, Д. М. Воропаев+×, А. Хадж-Аззем° 2), А. А. Синченко+, П. Монсо+ 2)
+Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
*Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, 115487 Москва, Россия
×Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский институт), 141701 Долгопрудный, Россия
°Universté Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, Institut Néel, 38042 Grenoble, France
Abstract
Выполнены измерения электронного транспорта, в том числе
динамических свойств волны зарядовой плотности в квазидвумерном
соединении HoTe3. Обнаружены и изучены эффекты медленной релаксации
неравновесного состояния волны зарядовой плотности при изотермической выдержке в режиме
нулевого тока, наблюдаемые ранее в TbTe3. Значительное увеличение
времени выдержки позволило наглядно продемонстрировать, что
релаксационные зависимости имеют логарифмический вид; изучены особенности
релаксации в разных температурных и временных диапазонах. Полученные
данные указывают на стекольное поведение системы центров пиннинга волны зарядовой плотности
в трителлуридах редкоземельных атомов.