Сканирование электронных состояний в квантовом точечном контакте с помощью асимметрично смещенных боковых затворов
Д. А. Похабов+*, А. Г. Погосов+*, Е. Ю. Жданов+*, А. К. Бакаров+*
+Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Экспериментально изучен кондактанс квантового точечного
контакта траншейного типа с боковыми затворами в широком диапазоне
затворных напряжений. Проведенные измерения, в которых асимметричное
смещение боковых затворов модифицирует ограничивающий потенциал, а сумма
затворных напряжений заселяет его электронами, позволили просканировать
электронные состояния в квантовом точечном контакте. Анализ экспериментальных данных выявил
необычную четырехъямную форму ограничивающего потенциала в одиночном квантовом точечном контакте.
Полученную сложную зависимость транскондактанса от суммы и разности
затворных напряжений удается разделить на составные части - вклады
четырех отдельных проводящих каналов. Различным электронным состояниям,
наблюдаемым в эксперименте, было сопоставлено определенное количество
заполненных одномерных подзон, принадлежащих разным каналам. Обнаружена
целая сеть событий вырождения одномерных подзон в параллельных каналах.
Почти все такие события проявляются в эксперименте в виде анти-кроссингов,
наблюдаемых как для малого, так и для большого числа
заполненных одномерных подзон.