Рассеяние света оптическими фононами, плененными в пределах слоя AlAs в сверхрешетке (СаАs)m (АlАs)n
Байрамов Б.Х., Ганг Т., Деленей М., Китаев Ю.Э., Клейн М.В., Леви Д., Моркоч X., Эварестов Р.А.
Обнаружено КРС /.Офононами. плененными в пределах слоя AlAs, в сверхрешетке (GaAs) (AlAs)^ (m 7. η = 18), Выполнено размещение конкретных атомов (Ga, Al, As) по позициям Уайкофа и установлено, что вклады смещений этих атомов в колебания определенной симметрии Γι.Γ: и г« зависят от m и п. что позволяет получить информацию о микрострукт уре и совершенстве сверхрешеток в пределах одного монослоя.