Обнаружение спектров ЭПР оптически индуцированных носителей со свойствами эффективной массы в дихалькогениде переходного металла WS2
Р. А. Бабунц, А. В. Батуева, А. С. Гурин, К. В. Лихачев, Е. В. Единач, П. Г. Баранов
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
Abstract
Спиновые свойства дихалькогенидов переходных металлов представляют интерес для
применений в спинтронике. Нами были обнаружены анизотропные спектры ЭПР в
монокристалле WS2, индуцированные оптическим возбуждением. Сделано
предположение, что эти спектры принадлежат локализованным носителям вблизи
валентной зоны и отражают особенности 5d оболочки кристалла. Показано, что g-фактор
для перпендикулярной ориентации магнитного поля относительно аксиальной оси
симметрии кристалла (магнитное поле ориентировано в плоскости слоя) больше, чем для
параллельной ориентации магнитного поля (перпендикулярно плоскости слоя), что может
дать информацию о типе 5d функции. Наиболее вероятно, что мы имеем 5d(z2-r2)
волновую функцию, которую можно будет связать с валентной зоной кристалла.