Квазикристаллические структуры с узкополосной спектрально-угловой селективностью
В. А. Чистяков+, М. С. Сидоренко+, А. Д. Саянский+, М. В. Рыбин+*
+Университет ИТМО, Физический факультет, 191002 С.-Петербург, Россия
*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
Abstract
Методы дизайна в обратном пространстве позволяют получать структуры с
желаемыми свойствами. Мы представляем результаты по разработке
квазикристаллических фотонных структур, которые обеспечивают селективное
рассеяние электромагнитной волны, падающей на образец. Максимумы
Фурье-образа искомого распределения диэлектрической проницаемости в обратном
пространстве были расположены вдоль двух дуг на сфере Эвальда,
соответствующей рассеянию волны с требуемыми параметрами: длина волны и
угол падения. Переход к прямому пространству позволил найти распределение
материала. После бинаризации показателя преломления формировалась
структура с малым диэлектрическим контрастом. Теоретическое исследование
свойств полученной структуры подтвердило спектрально-угловую
селективность рассеяния. Результаты численных расчетов показывают
возможность получения эффективного рассеяния и поглощения
электромагнитной энергии до 94
диапазона углов падения при диэлектрическом контрасте двух материалов
1.07.