 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 117 (2023) | ISSUE 11 | PAGE 814 |
|---|
|
Сверхтонкий кристалл теллурида германия в сильном фемтосекундном лазерном поле: проявление квантоворазмерного эффекта
С. А. Асеев+, Б. Н. Миронов+, И. В. Кочиков*, А. А. Лотин×, А. А. Ищенко°, Е. А. Рябов+ 1)
+ИСАН - Институт спектроскопии РАН, 108840 Москва, Троицк, Россия *Физический факультет, МГУ имени М. В. Ломоносова, 119234 Москва, Россия ×ИПЛИТ РАН - Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН - филиал Федерального государственного учреждения "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук", 140700 Шатура, Россия °РТУ-МИРЭА - Российский технологический университет, Институт тонких химических технологий им. М. В. Ломоносова, 119571 Москва, Россия
Abstract
С помощью импульсного электронографа исследовано поведение тонкопленочного кристалла GeTe (GT), индуцированное воздействием интенсивных лазерных импульсов фемтосекундной длительности (λ = 0.8 мкм). В качестве образца использовалась отожженная 20-нм пленка GT на медной сетке с углеродным покрытием. Установлено, что в результате лазерной абляции сформирован сверхтонкий кристалл теллурида германия (предположительно, монослой GeTe), обладающий высокой лучевой стойкостью. Обсуждаются возможные причины обнаруженного наноразмерного эффекта. |