Энергетический спектр валентной зоны в квантовых ямах HgTe на пути от 2D к 3D топологическому изолятору
Г. М. Миньков+*, О. Э. Рут+, А. А. Шерстобитов+*, С. А. Дворецкий×°, Н. Н. Михайлов×°, В. Я. Алешкин∇
+Уральский федеральный университет им. Б. Н. Ельцина, 620000 Екатеринбург, Россия
*Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН, 620137 Екатеринбург, Россия
×Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
°Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
∇Институт физики микроструктур РАН, 603087 д. Афонино, Нижегородская обл., Россия
Abstract
Для определения параметров энергетического спектра валентной зоны в квантовых
ямах (QW) HgTe шириной (dQW) 20-200 нм измерены магнитополевые и температурные
зависимости сопротивления и эффекта Холла. Сопоставление концентрации дырок, определенных
из периода осцилляций Шубникова-де Гааза (SdH), и эффекта Холла показывает, что во всем
диапазоне dQW кратность вырождения состояний потолка валентной зоны равна 2,
а циклотронная
масса, mh, определенная из температурной зависимости амплитуды осцилляций SdH, монотонно
возрастает от 0.2m0 до 0.3m0 (m0 - масса свободного электрона)
с ростом концентрации дырок, p,
от 2•1011 до 6•1011 см-2.
Проведено сопоставление с теоретическими зависимостями mh(p, dQW),
рассчитанными в рамках 4-х зонной kP-модели. Эти расчеты предсказывают скачкообразный рост
mh примерно в 2 раза за счет попарного слияния боковых экстремумов при увеличении
концентрации дырок, который при dQW=20 нм
должен наблюдаться при p=(4-4.5)•1011 см-2 и при
p=4•1010 см-2 в QW 200 нм.
Это предсказание радикально отличается от экспериментальных
зависимостей. Показано, что учет дополнительных факторов (электрическое поле в QW, величина
деформации) не снимает противоречия между экспериментом и теорией. Это вызывает сомнения в
том, что используемые kP расчеты адекватно описывают валентную зону при всех
dQW.