Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-119
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 117 (2023) | ISSUE 12 | PAGE 912
Энергетический спектр валентной зоны в квантовых ямах HgTe на пути от 2D к 3D топологическому изолятору
Abstract
Для определения параметров энергетического спектра валентной зоны в квантовых ямах (QW) HgTe шириной (dQW) 20-200 нм измерены магнитополевые и температурные зависимости сопротивления и эффекта Холла. Сопоставление концентрации дырок, определенных из периода осцилляций Шубникова-де Гааза (SdH), и эффекта Холла показывает, что во всем диапазоне dQW кратность вырождения состояний потолка валентной зоны равна 2, а циклотронная масса, mh, определенная из температурной зависимости амплитуды осцилляций SdH, монотонно возрастает от 0.2m0 до 0.3m0 (m0 - масса свободного электрона) с ростом концентрации дырок, p, от 2•1011 до 6•1011 см-2. Проведено сопоставление с теоретическими зависимостями mh(p, dQW), рассчитанными в рамках 4-х зонной  kP-модели. Эти расчеты предсказывают скачкообразный рост mh примерно в 2 раза за счет попарного слияния боковых экстремумов при увеличении концентрации дырок, который при dQW=20 нм должен наблюдаться при p=(4-4.5)•1011 см-2 и при p=4•1010 см-2 в QW 200 нм. Это предсказание радикально отличается от экспериментальных зависимостей. Показано, что учет дополнительных факторов (электрическое поле в QW, величина деформации) не снимает противоречия между экспериментом и теорией. Это вызывает сомнения в том, что используемые  kP расчеты адекватно описывают валентную зону при всех dQW.