Зависимость резонансного обращения волнового фронта света на поляритонах от интенсивности оптической накачки в пленках оксида цинка
А. Н. Грузинцев
Институт проблем технологии микроэлектроники РАН, 142432 Черноголовка, Россия
Abstract
Теоретически и экспериментально показана возможность резонансного обращения
волнового фронта света в возбужденной полупроводниковой среде. На
эпитаксиальных пленках ZnO при комнатной температуре и накачке азотным лазером
обнаружено индуцированное обращение волнового фронта света в инфракрасной области спектра для энергии
фотонов, равной половине энергии излучательной рекомбинации поляритонов.
Исследованы зависимости интенсивности сигнала обращения волнового фронта от энергии падающего фотона
и интенсивности лазерной накачки.