Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-119
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 118 (2023) | ISSUE 1 | PAGE 55
Плазменные возбуждения в SiGe/Si квантовых ямах
DOI: 10.31857/S1234567823130116
Abstract
Было проведено подробное исследование плазменных и магнитоплазменных возбуждений в высококачественных нелегированных двумерных системах на основе SiGe/Si квантовых ям. Двумерная электронная система формировалась при приложении напряжения к верхнему затвору, частично прозрачного для субтерагерцового излучения в частотном диапазоне 20-160 ГГц. Для сравнения также приведены результаты для SiGe/Si квантовых ям с δ-слоем легирования Sb. Были непосредственно определены транспортные и квантовые времена рассеяния для обеих структур. Было установлено, что величина эффективной массы электронов практически не зависит от плотности двумерных электронов в широком диапазоне значений.