Эффекты памяти в магнетосопротивлении двухкомпонентных электронных систем
К. С. Денисов, К. А. Барышников, П. С. Алексеев
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
Abstract
Развита теория магнетотранспорта в двухкомпонентной электронной системе с
редкими макроскопическими дефектами.
В такой системе определяющую роль играют классические эффекты памяти при
рассеянии электронов на дефектах и
медленные переходы электронов между компонентами жидкости за счет
межэлектронного рассеяния. Показано, что
режим течения зависит от соотношения между шириной образца и характерной
внутренней длиной, определяемой темпом
переходов электронов между компонентами. В образцах шире внутренней
длины формируется течение единой
двухкомпонентной жидкости в объеме образца, которое описывается объемными
формулами Друде с учетом эффектов
памяти. В этом случае магнетосопротивление является знакопеременным:
положительным в малых магнитных полях
и отрицательным в больших полях. В узких образцах, с ширинами меньше
характерной длины, переходы с изменением
типа электронов не успевают сформировать единую жидкость. В результате
течения каждой из компонент являются
независмыми и описываются собственными проводимостями с учетом эффектов
памяти, при этом магнетосопротивление
оказывается строго отрицательным.