Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-119
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 118 (2023) | ISSUE 2 | PAGE 110
Эффекты памяти в магнетосопротивлении двухкомпонентных электронных систем
Abstract
Развита теория магнетотранспорта в двухкомпонентной электронной системе с редкими макроскопическими дефектами. В такой системе определяющую роль играют классические эффекты памяти при рассеянии электронов на дефектах и медленные переходы электронов между компонентами жидкости за счет межэлектронного рассеяния. Показано, что режим течения зависит от соотношения между шириной образца и характерной внутренней длиной, определяемой темпом переходов электронов между компонентами. В образцах шире внутренней длины формируется течение единой двухкомпонентной жидкости в объеме образца, которое описывается объемными формулами Друде с учетом эффектов памяти. В этом случае магнетосопротивление является знакопеременным: положительным в малых магнитных полях и отрицательным в больших полях. В узких образцах, с ширинами меньше характерной длины, переходы с изменением типа электронов не успевают сформировать единую жидкость. В результате течения каждой из компонент являются независмыми и описываются собственными проводимостями с учетом эффектов памяти, при этом магнетосопротивление оказывается строго отрицательным.