 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 118 (2023) | ISSUE 5 | PAGE 341 |
|---|
|
PT-симметричная фотопроводимость, стимулированная микроволновым излучением, в гетероструктурах на основе топологической фазы Hg1-xCdxTe
С. Н. Чмырь+, А. С. Казаков+, А. В. Галеева+, Д. Е. Долженко+, А. И. Артамкин+, А. В. Иконников+, Н. Н. Михайлов*, С. А. Дворецкий*, М. И. Банников×, Л. И. Рябова+, Д. Р. Хохлов+×
+Физический факультет, МГУ имени М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия *Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия ×Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
Abstract
В работе сообщается об обнаружении нового эффекта - PT-симметричной фотопроводимости при воздействии микроволнового излучения в гетероструктурах на основе толстых пленок Hg1-xCdxTe в области составов, соответствующих топологической фазе, при том, что отдельно симметрия по магнитному полю (T-симметрия) и по расположению пар потенциальных контактов (P-симметрия) не сохраняются. В аналогичных гетероструктурах на основе тривиальной фазы Hg1-xCdxTe микроволновая фотопроводимость является как P-, так и T-симметричной. |