Температурные исследования спектров комбинационного рассеяния света в магнитных топологических изоляторах MnBi2Te4 и MnSb2Te4
А. А. Максимовa, И. И. Тартаковскийa, З. С. Алиевb, И. Р. Амираслановc,b, Н. А. Абдуллаевb,c, В. Н. Зверевa, З. А. Джахангирлиc,b, И. Ю. Склядневаd, М. М. Отроковe,f Н. Т. Мамедовb,c 1), Е. В. Чулковg,h
aИнститут физики твердого тела им. Ю. А. Осипьяна РАН, 142432 Черноголовка, Россия
bБакинский государственный университет, AZ1148 Баку, Азербайджан
cИнститут физики, AZ1141 Баку, Азербайджан
dТомский государственный университет, 634050 Томск, Россия
eCentro de Fisica de Materiales (CFM-MPC), Centro Mixto CSIC-UPV/EHU, 20018 Donostia-San Sebastian, Basque Country, Spain
fIKERBASQUE, Basque Foundation for Science, 48011 Bilbao, Spain
gСанкт-Петербургский государственный университет, 198504 С.-Петербург, Россия
hDepartamento de Pol y Materiales Avanzados: F, Qu y Tecnolog, Facultad de Ciencias Qu,
Universidad del Pa Vasco UPV/EHU, 20080 San Sebastian/Donostia, Basque Country, Spain
Abstract
Подробно изучены спектры комбинационного рассеяния света в кристаллах магнитных топологических изоляторов
в широком диапазоне температур, включающим область магнитного упорядочения. Определены параметры ангармонизма и модовые
параметры Грюнайзена активных в комбинационном рассеянии фононов в изученных кристаллах. Показано, что с точностью
до см-1 температурная зависимость частоты A(1)1g фонона с частотой см-1
в MnBi2Te4 не отличается от стандартной ангармонической модели, не учитывающей спин-фононного взаимодействия.
Поляризационные зависимости спектров комбинационного рассеяния в кристаллах MnSb2Te4 указывают, что в них, в
отличие от изоструктурных кристаллов MnBi2Te4, происходит значительное взаимное перемешивание атомов подрешеток Sb и
Mn.