В каком магнитном поле рождается краевой магнитоплазмон?
В. М. Муравьев, А. М. Зарезин, П. А. Гусихин, И. В. Кукушкин
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
Abstract
Методом оптического детектирования резонансного микроволнового
поглощения исследовано поведение магнитоплазменных мод в
высококачественных двумерных электронных системах (ДЭС) на базе AlGaAs/GaAs
гетероструктур с мезой в форме диска. Путем анализа магнитодисперсионной
зависимости удается установить значение магнитного поля, при котором
вдоль края ДЭС образуется двумерный "скин-слой" и, как следствие,
магнитоплазменная мода приобретает краевой характер. Исследовано
поведение этого значения магнитного поля в зависимости от электронной
плотности ДЭС. Разработана модель для описания полученных
экспериментальных результатов.