 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 118 (2023) | ISSUE 8 | PAGE 590 |
|---|
|
Влияние концентрации Gd на сверхпроводящие свойства в ВТСП лентах 2-го поколения
П. Н. Дегтяренко+, А. В. Садаков*, А. В. Овчаров×, А. Ю. Дегтяренко*, С. Ю. Гаврилкин*, О. А. Соболевский*, А. Ю. Цветков*, Б. И. Массалимов*
+Объединенный институт высоких температур РАН, 125412 Москва, Россия *Центр высокотемпературной сверхпроводимости и квантовых материалов им. В. Л. Гинзбурга ФИАН, 119991 Москва, Россия ×Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия
Abstract
В данной работе представлены систематические исследования высокотемпературных сверхпроводящих лент 2-го поколения с избытком по Gd относительно стехиометрического состава пленок GdBa2Cu3O7. Выявлено, что при росте пленки образуются нитевидные дефекты в виде несверхпроводящей фазы Gd2CuO4, расположенные вдоль плоскости ab. Эти включения приводят к изменению механизма пиннинга вихревой структуры, благодаря чему отчетливо наблюдается пик критического тока при +15 % Gd. |