 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-119 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 118 (2023) | ISSUE 9 | PAGE 639 |
|---|
|
Идентификация оптически активных квартетных спиновых центров на основе вакансии кремния в SiC, перспективных для квантовых технологий
Р. А. Бабунц+, Ю. А. Успенская+, А. П. Бундакова+, Г. В. Мамин*, Е. Н. Мохов+, П. Г. Баранов+
+Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия *Казанский (Приволжский) федеральный университет, 420008 Казань, Россия
Abstract
В карбиде кремния идентифицированы оптически активные (яркие) и оптически пассивные (темные) квартетные спиновые центры окраски с S=3/2, включающие отрицательно заряженную вакансию кремния. Использовался высокочастотный двойной электронно-ядерный резонанс на ядрах изотопа 13С, усиленный десятикратным увеличением содержания этого изотопа. В ярком центре, перспективном для квантовых технологий, происходит оптически индуцированное выстраивание населенностей спиновых уровней, тогда как для темного центра, представляющего собой изолированную отрицательно заряженную вакансию кремния VSi-, населенности спиновых уровней соответствуют больцмановскому распределению и не изменяются при оптическом возбуждении. |