Идентификация оптически активных квартетных спиновых центров на основе вакансии кремния в SiC, перспективных для квантовых технологий
Р. А. Бабунц+, Ю. А. Успенская+, А. П. Бундакова+, Г. В. Мамин*, Е. Н. Мохов+, П. Г. Баранов+
+Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
*Казанский (Приволжский) федеральный университет, 420008 Казань, Россия
Abstract
В карбиде кремния идентифицированы оптически активные (яркие) и оптически
пассивные (темные) квартетные спиновые центры окраски с S=3/2, включающие
отрицательно заряженную вакансию кремния. Использовался высокочастотный двойной
электронно-ядерный резонанс на ядрах изотопа 13С, усиленный десятикратным
увеличением содержания этого изотопа. В ярком центре, перспективном для квантовых
технологий, происходит оптически индуцированное выстраивание населенностей
спиновых уровней, тогда как для темного центра, представляющего собой изолированную
отрицательно заряженную вакансию кремния VSi-, населенности спиновых уровней
соответствуют больцмановскому распределению и не изменяются при оптическом
возбуждении.