 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-119 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 118 (2023) | ISSUE 11 | PAGE 860 |
|---|
|
Одновременное наблюдение циклотронного резонанса дырок и электронов в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe в условиях эффекта "оптического затвора"
Л. С. Бовкун+*, С. С. Криштопенко×°, В. Я. Алешкин*, Н. Н. Михайлов∇, С. А. Дворецкий∇, Ф. Тепп× 1), М. Орлита+, В. И. Гавриленко*, А. В. Иконников°
+Laboratoire National des Champs Magnétiques Intenses, CNRS-UGA-EMFL-UPS-INSA, FR-38042 Grenoble, France *Институт физики микроструктур РАН- филиал Федерального исследовательского центра Институт прикладной физики имени А. В. Гапонова-Грехова РАН, 603950 Н. Новгород, Россия ×Laboratoire Charles Coulomb, UMR CNRS 5221, Université de Montpellier, 34095 Montpellier, France °Физический факультет, МГУ имени М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия ∇Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
В работе в гетероструктуре HgTe/CdHgTe с двойной квантовой ямой выполнены спектральные исследования фотопроводимости при различных температурах (T = 5-70 К), а также исследования магнитопоглощения и магнитотранспорта при T = 4.2 К в условиях эффекта "оптического затвора". Исследования спектров магнитопоглощения при дозированном оптическом воздействии позволили одновременно наблюдать линии поглощения, связанные как с циклотронным резонансом электронов, так и циклотронным резонансом дырок. Сосуществование электронов и дырок в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe с относительно большой шириной запрещенной зоны (  мэВ) указывает на возникновение индуцированного светом сильно
неоднородного распределения носителей заряда в плоскости струкуры.
Полученные экспериментальные результаты наглядно демонстрируют недостатки
управления положением уровня Ферми в гетероструктурах с квантовыми ямами
КЯ HgTe/CdHgTe с помощью "оптического затвора".
|