 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 119 (2024) | ISSUE 2 | PAGE 82 |
|---|
|
Полностью оптическая сканирующая спектроскопия антипересечения электронных и ядерных спиновых уровней в кристалле 4H-SiC
К. В. Лихачев+, И. П. Вейшторт+, М. В. Учаев+*, А. В. Батуева+, В. В. Яковлева+, А. С. Гурин+, Р. А. Бабунц+, П. Г. Баранов+
+Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия *Физико-технический мегафакультет, Университет ИТМО, 197101 С.-Петербург, Россия
Abstract
Полностью оптическими методами зарегистрированы при комнатной температуре переходы в системе взаимодействующих электронных и ядерных спинов в центрах окраски c S=3/2 в кристалле 4H-SiC с природным изотопным составом. Гигантские изменения фотолюминесценции в объеме  1 мкм3, при непрерывном и импульсном
лазерном возбуждении, происходят в области антипересечения электронных и ядерных
спиновых уровней. Обнаружено оптическое проявление переворота ядерного спина
изотопа 29Si при сохранении проекции спина электрона. Все точки антипересечения
спиновых подуровней, связанных сверхтонкими взаимодействиями, идентифицированы,
что открывает возможности для наблюдения подобных эффектов в семействе квартетных
спиновых центров в других политипах SiC.
|