Низкотемпературная кристаллизация дефектов структуры в LuB12 по данным ЯМР спектроскопии 175Lu
О. М. Вяселевa,b, А. А. Гиппиусc,d, Н. Е. Случанкоe, Н. Ю. Шицеваловаf
aИнститут физики твердого тела имени Ю. А. Осипьяна РАН, 142432 Черноголовка, Россия
bРоссийский квантовый центр, 121205 Москва, Инновационный центр Сколково, Россия
cМГУ имени М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
dФизический институт имени П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
eИнститут общей физики им. А. М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
fИнститут проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАНУ, 03680 Киев, Украина
Abstract
Исследования додекаборида LuB12 в температурном диапазоне 10-300 К показали,
что спектр 175Lu уширен вследствие разброса квадрупольных сдвигов частоты, вызванного наличием дефектов
в подрешетке Lu. Для объяснения обнаруженного гистерезиса температурной зависимости ширины линии 175Lu
предложен сценарий "кристаллизации дефектов структуры", в котором дефекты подрешетки Lu, разупорядоченные при
комнатной температуре, трансформируется при понижении температуры в более симметричную и устойчивую
конфигурацию, обусловленную, по-видимому,статическими искажениями борного каркаса благодаря кооперативному эффекту
Яна-Теллера.