JETP Letters: issues online

Высокоспиновые дефектные центры в кристаллических матрицах используются в качестве базы для квантово-вычислительных технологий, высокочувствительных сенсоров и источников однофотонных излучений. В данной работе методами фотоиндуцированного (λ= 980 нм) высокочастотного (94 ГГц, 3.4 Тл) импульсного электронного парамагнитного резонанса при температуре T= 150 K исследованы оптически активные азот-вакансионные центры окраски (NV^-) в изотопно-модифицированном (²⁸Si, ядерный спин I = 0) кристалле карбида кремния 6H-²⁸SiC. Идентифицированы три структурно-неэквивалентных типа NV^- центров с аксиальной симметрией и определены их спектроскопические параметры. Длинные ансамблевые значения времен спин-решеточной T₁ = 1.3 мс и спин-спиновой T₂ = 59 мкс релаксаций NV^- центров со сверхузкими линиями поглощения (450 кГц), позволяют высокоселективно возбуждать резонансные переходы между подуровнями (m_I), обусловленными слабым сверхтонким взаимодействием $(A\approx1$ МГц) с ядрами ¹⁴N (I = 1), для квантового манипулирования электронной спиновой намагниченностью.