Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
   Volumes 93-112
   Volumes 113-120
      Volume 120
      Volume 119
      Volume 118
      Volume 117
      Volume 116
      Volume 115
      Volume 114
      Volume 113
Search
VOLUME 119 (2024) | ISSUE 8 | PAGE 587
Оптическая спиновая инициализация азот-вакансионных центров в изотопно-обогащенном (28Si) кристалле 6H-SiC для квантовых технологий
Abstract
Высокоспиновые дефектные центры в кристаллических матрицах используются в качестве базы для квантово-вычислительных технологий, высокочувствительных сенсоров и источников однофотонных излучений. В данной работе методами фотоиндуцированного (λ= 980 нм) высокочастотного (94 ГГц, 3.4 Тл) импульсного электронного парамагнитного резонанса при температуре T= 150 K исследованы оптически активные азот-вакансионные центры окраски (NV-) в изотопно-модифицированном (28Si, ядерный спин I = 0) кристалле карбида кремния 6H-28SiC. Идентифицированы три структурно-неэквивалентных типа NV- центров с аксиальной симметрией и определены их спектроскопические параметры. Длинные ансамблевые значения времен спин-решеточной T1 = 1.3 мс и спин-спиновой T2 = 59 мкс релаксаций NV- центров со сверхузкими линиями поглощения (450 кГц), позволяют высокоселективно возбуждать резонансные переходы между подуровнями (mI), обусловленными слабым сверхтонким взаимодействием (A\approx1 МГц) с ядрами 14N (I = 1), для квантового манипулирования электронной спиновой намагниченностью.