 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 119 (2024) | ISSUE 8 | PAGE 598 |
|---|
|
Магнетосопротивление и симметрия двумерного электронного газа гетероструктур AlGaN/AlN/GaN1)
Н. К. Чумаков+ 2), А. А. Андреев+, И. В. Белов+, А. Б. Давыдов*, И. С. Езубченко+, Л. Л. Лев×, Л. A. Моргун*, С. Н. Николаев+, И. А. Черных+, С. Ю. Шабанов+, В. Н. Строков°, В. Г. Валеев+ 2)
+Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия *Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия ×Московский физико-технический институт, 141701 Долгопрудный, Россия °Swiss Light Source, Paul Scherrer Institute, CH-5232 Villigen, Switzerland
Abstract
Физические свойства двумерного электронного газа, локализованного в слое GaN вблизи интерфейса AlN/GaN гетероструктур AlGaN/AlN/GaN, изучаются не одно десятилетие. По сложившимся представлениям его симметрия совпадает с симметрией несимморфной пространственной группы C46v в объеме GaN. Последнее, однако, неверно. В самом деле, единственный составной элемент этой группы - вращение системы на 120° вокруг оси [0001], направленной по нормали к плоскости интерфейса, с одновременным сдвигом вдоль нее на полпериода кристаллической решетки GaN - для двумерного газа запрещен потенциалом конфайнмента, который, следовательно, понижает его симметрию до симметрии тригональной точечной группы C3v. Настоящая работа посвящена подтверждению этого факта результатами расчетов из первых принципов методом функционала плотности и данными электрофизических экспериментов. |