 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 119 (2024) | ISSUE 9 | PAGE 692 |
|---|
|
Рост силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CaF2/Si(111), модифицированных электронным облучением1)
А. Ф. Зиновьева+* 2), В. А. Зиновьев+, А. В. Кацюба+, В. А. Володин+*, В. И. Муратов*, А. В. Двуреченский+*
+Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия *Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Впервые экспериментально продемонстрирована возможность получения силицена на модифицированных электронным облучением подложках CaF2/Si(111). Показано, что формирующиеся под электронным пучком участки планарной поверхности CaSi2 с гексагональной упаковкой могут быть использованы как естественная основа для последующего роста силицена. На таких поверхностях проведено осаждение кремния и методами атомно-силовой микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света получено подтверждение формирования островков силицена. |