JETP Letters: issues online

Экспериментально продемонстрирована генерация ультракоротких импульсов среднего ИК диапазона (длина волны от 8.5 до 10.5 мкм) с высокой энергией (до 4.5 мкДж) путем генерации разностной частоты в кристалле BaGa₂GeSe₆ при его накачке импульсами титан-сапфирового лазера длительностью 100 фс и длиной волны 0.95-мкм. Для таких импульсов накачки определены порог оптического повреждения и коэффициент двухфотонного поглощения BaGa₂GeSe₆. Эффективность преобразования частоты достигла 0,24 показывают, что применение широкоапертурного (диаметром 15 мм) образца BaGa₂GeSe₆ позволит увеличить энергию импульса накачки до $\sim$ 10 мДж и, соответственно, увеличить энергию импульса среднего инфракрасного диапазона до 24 мкДж при той же эффективности.