 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 119 (2024) | ISSUE 11 | PAGE 802 |
|---|
|
Источники одиночных фотонов внутри пузырьков на гомо-интерфейсе слоев гексагонального нитрида бора
A. В. Грициенко+*, М. В. Пугачев+, М. О. Аврамчиков+×, А. Г. Витухновский+*, А. Ю. Кунцевич+°
+Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия *Московский физико-технический институт (государственный университет), 141700 Долгопрудный, Россия ×Российский университет дружбы народов, 117198 Москва, Россия °Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", 101000 Москва, Россия
Abstract
Существует небольшое количество материалов, которые при комнатной температуре могут содержать источники одиночных фотонов - необходимые элементы квантовых коммуникаций. Одним из таких материалов является гексагональный нитрид бора. В данной работе исследуются механически собранные гомоструктуры из двух пластин нитрид бора. На интерфейсе между этими пластинами образуются микропузырьки из адсорбированных остатков молекул воды и углеродных соединений. После высокотемпературного отжига образцов в областях микропузырьков формируются стабильные однофотонные источники, излучающие в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах при комнатной температуре. Обнаруженное явление открывает путь к созданию стабильных излучателей контролируемым образом с помощью сборки гомоструктур. |