 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 119 (2024) | ISSUE 12 | PAGE 917 |
|---|
|
Новый политип вискеров NbS3: от простого к сложному1)
А. Л. Васильев+*×, А. Г. Иванова+, И. Н. Трунькин*, Н. Б. Болотина+, В. Я. Покровский° 2), С. Г. Зыбцев°
+Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 119333 Москва, Россия *Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия ×Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), 141701 Долгопрудный, Россия °Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
Abstract
Методами просвечивающей электронной микроскопии при комнатной температуре исследованы три образца квазиодномерного проводника NbS3 из одной ростовой партии. Менее дефектный образец # 1 и более дефектный образец # 2 отнесены к известным ранее политипам. Образец # 3 представляет собой неизвестный ранее политип, с увеличенным по сравнению со всеми известными политипами параметром c элементарной ячейки. На электронограммах нового политипа присутствуют четыре системы сателлитных рефлексов, что указывает на формирование в образце четырех волн зарядовой плотности. Обсуждается возможность формирования более сложных по структуре политипов. |