JETP Letters: issues online

В области низких температур и напряжений: $0 \leqslant \vert eV \vert \ll T \ll \Delta_{0}^{}$ получена формула для одночастичной вольт-амперной характеристики J(V,T,c,β) "грязного" (малые концентрации одинаковых немагнитных примесей в I-слое) SIN-контакта (S - сверхпроводник, I - неупорядоченный изолятор, N - нормальный металл), где: e - модуль заряда электрона, Δ₀ - сверхпроводящая щель в S-береге контакта при температуре T = 0, V - напряжение на контакте, $c \ll 1$ - безразмерная концентрация примесей в I-слое, $\beta = (\varepsilon_{0}^{} - \mu)/\Delta_{0}^{}$ - безразмерная девиация актуального для данной задачи однопримесного электронного энергетического уровня $\varepsilon_{0}^{}$ (на одинаковых примесях в I-слое) относительно уровня μ электронного химпотенциала контакта. Показано, что присутствие случайных узкозонных квантовых закороток в неупорядоченном I-слое приводит в некоторой ограниченной области Ω_d(c, β) на плоскости параметров (c, β) к аномально сильной знакопеременной девиации одночастичной вольт-амперной характеристики грязного SIN-контакта относительно одночастичной вольт-амперной характеристики этого же грязного контакта, вычисляемой по формуле существующей теории. На численном примере продемонстрировано, что относительная девиация одночастичной ВАХ для характерных значений параметров грязного SIN-контакта в области Ω_d(c, β) может достигать нескольких порядков, что обеспечивает возможность экспериментального проявления этого эффекта. Обсуждены условия применимости рассмотренной модели грязного SIN-контакта, предложена принципиальная схема соответствующего эксперимента.