 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 120 (2024) | ISSUE 2 | PAGE 138 |
|---|
|
Логарифмическая релаксация фотопроводимости квазиодномерного полупроводника TiS3
И. Г. Горлова+, С. Г. Зыбцев+, В. Я. Покровский+, С. А. Никонов+, С. В. Зайцев-Зотов+*, А. Н. Титов×
+Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия *Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", факультет физики, 105066 Москва, Россия ×Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН, 620108 Екатеринбург, Россия
Abstract
Исследованы переходные процессы в фотопроводимости монокристаллов TiS3 при подаче на образец прямоугольных импульсов света в области длин волн λ= 405-940 нм. Установлено, что спад фотопроводимости после выключения излучения при температурах от 180 до 78 К описывается логарифмическим законом в интервале от 10-3 до 102 с, т.е. при изменении времени на 5 порядков. Это означает, что процесс релаксации характеризуется временами, распределенными в диапазоне от десятков микросекунд до десятков минут, как минимум. Показано, что релаксация имеет преимущественно последовательный характер: барьер для рекомбинации повышается по мере приближения проводимости к равновесному значению. |