Локальные поверхностные плазмонные резонансы в пленочных структурах Cu/As2Se3/1)
В. Я. Когай2), Г. М. Михеев
Удмуртский федеральный исследовательский центр Уральского отделения РАН, 426067 Ижевск, Россия
Abstract
Впервые синтезированы плазмонные наноструктуры в результате диффузии
Cu в пленку As2Se3 при формировании пленочной структуры Cu/As2Se3
последовательным напылением в вакууме Cu и As2Se3. Методом
спектроскопической эллипсометрии получены спектры коэффициентов
экстинкции и показателя преломления, а также действительной и мнимой
частей диэлектрической проницаемости синтезированных структур в
диапазоне длин волн 240-2500 нм, свидетельствующие о наличии
локализованных поверхностных плазмонных резонансов. Показано, что
изменением толщины пленки меди и термическим отжигом можно управлять
частотным положением плазмонных резонансов в диапазоне длин волн от 470
до 660 нм.