Возбужденные состояния экситонов в монослоях MoSe2 и WSe2
Г. М. Голышков, А. С. Бричкин, В. Е. Бисти, А. В. Черненко
Институт физики твердого тела им. Ю. А. Осипьяна РАН, 142432 Черноголовка, Россия
Abstract
Методом оптической спектроскопии отражения исследованы экситоны
в монослоях MoSe2 и WSe2, инкапсулированных гексагональным
нитридом бора. Изучены основные и возбужденные состояния А- и В-экситонов
при температурах от гелиевой до комнатной.
В спектре отражения отчетливо наблюдаются линии экситонов А:1s, В:1s и их
возбужденные состояния А:2s, А:3s, В:2s. Наблюдаемые формы линий спектра
отражения монослоев дихалькогенидов переходных металлов зависят от толщины используемых в структуре слоев
hBN и находятся в хорошем соответствии с численным моделированием
методом матриц переноса.
Впервые на основе данных эксперимента и выполненных расчетов энергии
связи экситонов получены значения приведенных масс В-экситонов.