 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-120 |
| Volume 120 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 120 (2024) | ISSUE 5 | PAGE 367 |
|---|
|
Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки
К. В. Лихачев+, А. М. Скоморохов+, М. В. Учаев+, Ю. А. Успенская+, В. В. Козловский*, М. Е. Левинштейн+, И. А. Елисеев+, А. Н. Смирнов+, Д. Д. Крамущенко+, Р. А. Бабунц+, П. Г. Баранов+
+Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 С.-Петербург, Россия
Abstract
Впервые зарегистрированы спектры антипересечения спиновых подуровней и идентифицированы центры окраски со спином S = 3/2 в коммерчески доступных диодах Шоттки на основе 4H-SiC, подвергнутых облучению электронами с энергией 0.9 МэВ или протонами с энергией 15 МэВ. Показано влияние дозы облучения на процесс дефектообразования. Продемонстрировано, что повышение температуры, при которой проводилось облучение протонами, играет роль краткосрочного отжига, приводящего к уменьшению концентрации точечных дефектов. |