JETP Letters: issues online

В работе развита аналитическая модель для описания транспорта электронов в полупроводниковых фотокатодах под внешними воздействиями в сверхвысокочастотных фотопушках. Рассмотренная модель, рамки которой обозначены, позволяет получить аналитическое выражение для профиля фототока, что потенциально приводит к более корректному моделированию режима работы сверхвысокочастотных фотопушек в качестве генераторов сверхкоротких (пико- и субпикосекундных) электронных сгустков. Отдельно рассматривается и обсуждается зависимость фронтов фототока от модельных параметров. Намечены основные направления развития модели.