JETP Letters: issues online

Для развития микроэлектроники существенное значение имеют исследования физики индуцированных лазером сверхбыстрых процессов в тонких пленках. К таким процессам относятся: нагрев электронной подсистемы, релаксация и транспорт поглощенной энергии, а также генерация и распространение пикосекундных акустических волн. В этой связи в работе изучена динамика изменения дифференциального коэффициента отражения Δ R(t)/R₀ пленки никеля (Ni) толщиной 73 нм на подложке из стекла. Измерения выполнены в схеме "возбуждение-зондирование" (pump-probe) с синхронным детектированием сигнала Δ R(t)/R₀. За счет увеличения периода следования t_cool последовательности нагревающих (возбуждающих) импульсов достигнуты высокие значения поглощенного флюенса до 11 мДж/см². Увеличение t_cool позволяет лучше охлаждать пленку после нагревающего воздействия. В результате получены рекордные значения температур $(T_e\approx 3$ , $T_i\approx 1$ кК) и напряжений (до 7 ГПа). В литературе отсутствуют данные при таких высоких температурах и давлениях. Именно при этих повышенных значениях удается заметить влияние нелинейных эффектов - впервые в опытах с синхронным детектированием.